PN4391 TRE характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	625mW
Исполнение корпуса	TO-92
Тип полевого транзистора	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14pF @ 20V
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	40V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	50mA @ 20V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	4V @ 1nA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	30 Ohms

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	625mW
Исполнение корпуса	TO-92
Тип полевого транзистора	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14pF @ 20V
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	40V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	50mA @ 20V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	4V @ 1nA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	30 Ohms

PN4391 TRE

PN4391 TRE характеристики